Ort: Hörsaal im LfI (Schneiderberg 32, Hannover, Deutschland)
Zeit: Mittwoch, den 10.12.2008 um 17:30 - 18:30 + anschließendes Beisammensein
Vortragsankündigung
In einer Einführung werden Herausforderungen der aktuellen DRAM-Entwicklung für Technologieknoten ≤ 65 nm erläutert und ein Ausblick auf die Technologie-Roadmap für die nächsten Jahre gegeben. Insbesondere werden DRAM-spezifische Anforderungen an neue Materialien und der Einsatz materialanalytischer Verfahren unter industriellen Bedingungen diskutiert. Mit einigen Beispielen zum Wachstum und zur Kristallisation von high-k Dielektrika und zur Analyse von Kontaktstrukturen werden Einsatzfelder moderner materialanalytischer Verfahren illustriert.
